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科林研发为原子级工艺设备增加ALE功能

来源:吉林视窗   日期:2014-07-08  

    2014年7月8日美国加州旧金山

  面向半导体行业提供创新的晶圆制造设备和服务的全球主要供应商科林研发(Lam Research Corp.)(纳斯达克股票代码:LRCX)今天宣布为其原子层沉积(ALD)设备组合增加了原子层蚀刻(ALE)功能。为2300(R) Kiyo(R) F系列导体蚀刻系统新增加的ALE功能为新一代晶圆工艺技术提供了原子级的误差控制能力。科林研发还拥有用于介电薄膜ALD的VECTOR(R) ALD Oxide产品和用于钨金属薄膜ALD的ALTUS(R)系统,这些产品有助于半导体行业向原子级芯片制造技术转型。

  随着制程尺度的不断缩小和新器件架构的引入,在制造过程中控制工艺误差变得越来越具有挑战性。展望新一代技术规格,制程尺寸的误差很快将达到只有几个原子大小。此外,器件的深宽比也在不断扩大,图形也越来越复杂。对大多数高级结构而言,常规等离子体蚀刻和沉积工艺已无法满足它们的工艺要求,必须寻找新的方法。ALE和ALD提供了一个解决方案,它采用多步工艺循环,每次沉积或除掉几个原子层,以此确保精确的控制。不过,该解决方案的难点是,如何提供足够高的生产率,以使这些工艺适合成本敏感的生产过程。

  科林研发为2300 Kiyo F系列导体蚀刻系统增加的ALE功能为生产过程提供了所需的生产率和技术。该产品利用反应器中的气体快速开关和高级等离子体技术提高生产率,同时在高深宽比(深而窄)的制程中利用动态射频偏压进行定向蚀刻。2300 Kiyo F系列系统是科林研发市场领先的Kiyo设备组合中的最新产品,它凭借对称的反应室设计、先进的静电夹头技术和独立的工艺优化功能,提供了卓越的一致性和可重复性。

  最新发布的VECTOR ALD Oxide系统可沉积介电薄膜,用作FinFET结构和硅通孔(TSV)结构所需的衬垫和隔片,以及多重曝光方案所用的隔片。该系统通过原子级控制技术缩小误差,而且即使在非常具有挑战性的高深宽比制程中也能沉积高保形ALD薄膜。VECTOR ALD Oxide系统还能提供和其他系统相当或更好的生产率,具有总体拥有成本优势。该系统还具有单晶圆工艺的循环时间优势。

  科林研发行业领先的ALTUS产品系列是钨薄膜生产的基准,已多年用于钨和氮化钨合金的原子层沉积。它采用专利的沉积技术和系统架构,可以沉积具有低电阻率的高保形金属薄膜。ALTUS ALD工艺还能完全填充高级存储器与逻辑应用中常见的凹入结构。

  科林研发高级副总裁兼首席技术官Dave Hemker表示:“半导体行业在不断积极缩小器件尺寸,而这需要新的制造方法——特别是在蚀刻和沉积工艺方面。通过持续创新,我们用新型原子级工艺技术满足了这方面的需求,为芯片制造商提供了制造新一代器件所需的高级技术、工艺控制和生产能力。”

  前瞻性声明

  本新闻稿包含的非历史事实的陈述属于前瞻性陈述,受1995年《私人证券诉讼改革法案》的安全港条款约束。这类前瞻性陈述包括但不限于以下方面的陈述:科林研发的产品表现,如满足原子级工艺技术的生产率和技术需求的能力,为客户应用减小误差的能力和相比于其他方法或设备更好的工艺结果,以及科林研发满足客户需求的能力和为新一代器件制造提供技术、工艺控制和生产能力的能力。这类前瞻性陈述基于当前的信心和预期,在条件、重要性、价值和效果等方面存在风险、不确定性和变化,包括科林研发在10-K表年报的“风险因素”章节和科林研发向美国证券交易委员会呈报的其他文件中所讨论的内容。在条件、重要性、价值和效果方面存在的这些风险、不确定性和变化可能导致实际结果和本文中预测的结果存在实质性的差异。提醒读者注意不要过度依赖这些前瞻性陈述,这些前瞻性陈述只是截至本文发布日之前做出的。我们不承担为了反映本文发布后发生的情况而修订这些前瞻性陈述的义务。

  关于科林研发

  科林研发(Lam Research Corp.)(纳斯达克股票代码:LRCX)是向半导体行业提供创新的晶圆制造设备和服务的全球供应商。科林研发市场领先的沉积、蚀刻、剥离和晶圆清洗解决方案有助于客户成功开发粗细只有砂砾千分之一的芯片制程,并获得面积更小、速度更快、功耗更低的芯片。科林研发凭借合作、持续创新和恪守承诺,正在向原子级技术转型,帮助客户塑造半导体技术的未来。科林研发总部位于加利福尼亚州弗里蒙特,是标普500指数成分股公司,公司的普通股在纳斯达克全球精选市场上市,股票代码LRCX。

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